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本发明公开了一种无铅有机－无机杂化半导体材料，有机－无机杂化半导体材料分子式为[Ga(C3H7NO)6](I3)3，有机－无机杂化半导体材料由有机物N,N－二甲基甲酰胺(C3H7NO)、金属元素Ga和卤素元素I组成，其中N,N－二甲基甲酰胺...
该专利属于中山复旦联合创新中心所有，仅供学习研究参考，未经过中山复旦联合创新中心授权不得商用。

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