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本发明提供了雪崩光电探测器及其制备方法。其中，雪崩光电探测器包括：衬底，其表面包括第一半导体层；位于衬底之上的第二半导体层，第一半导体层包括第一方向上依次排列的第一P型掺杂区、第二P型掺杂区、第三N型掺杂区、第一本征区、第三P型掺杂区、第二...
该专利属于武汉光谷信息光电子创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉光谷信息光电子创新中心有限公司授权不得商用。

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