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本发明提供一种用于氮化镓基射频器件的外延结构及其制备方法，所述制备方法包括：提供一碳化硅衬底，并对其进行表面清洁处理及辅助硅束流的表面重构；对所述碳化硅衬底进行退火处理以在重构表面产生石墨烯薄膜；接着在所述石墨烯薄膜上依次生长氮化铝缓冲层、...
该专利属于中电化合物半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中电化合物半导体有限公司授权不得商用。

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