温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决芯片的整体尺寸大，成本高的技术问题，该半导体器件包括衬底、设置在衬底上的第一电容结构和设置在第一电容结构上的第一介质层；第一介质层具有至少一个沟槽，第一电容结构包括上电极，沟...
该专利属于上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。