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本申请公开了一种磁控溅射方法，该方法应用于使用磁控溅射设备进行磁控溅射工艺中，该磁控溅射设备包括位于靶材上方或下方的磁铁组，该磁铁组包括第一磁铁和第二磁铁，该方法包括：在靶材的生命周期的第一阶段，使第一磁铁和第二磁铁之间的距离为第一距离进行...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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