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本发明提供一种三维相变存储器及其制造方法，其使得每层相变存储单元及其所需的第一布线(即字线或位线)分开制作，且进一步利用牺牲层的替换和介质侧墙的限缩作用来制作底电极与第一触点电性接触的相变存储单元，能够使得相变存储单元的形状和尺寸不再完全依...
该专利属于长江先进存储产业创新中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江先进存储产业创新中心有限责任公司授权不得商用。

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