下载氮化物外延结构和半导体器件的技术资料

文档序号:32851803

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本申请实施例提供一种氮化物外延结构,包括:衬底;成核层,形成于衬底上,成核层为氮化铝层或氮化镓层;缓冲层,形成于成核层上,包括K个堆叠的第Ⅲ族氮化物双层结构,K≥3;每一双层结构均包括层叠的上层和下层,每一双层结构的带隙差为上层材质的禁带宽...
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