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本发明的目的是提出一种单片集成压力传感器、制备及封装方法，首先在SOI硅片上制备信号调理电路、压敏电阻、金属引线、第一压焊块以及第一密封环；然后在一块玻璃基片上进行刻蚀腔体、通孔以及导电金属填充，制备第二压焊块、金属触点以及第二密封环；最后...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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