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本发明提供一种提高碳化硅外延片载流子寿命的方法，包括以下步骤：S1.将硅面碳化硅衬底置于石墨基座上；S2.调节反应室内条件并生长缓冲层；S3.保持生长温度和压力不变，降低C/Si比，之后以线性渐变的方式提高C/Si比进行第1次生长；S4.保...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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