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本发明提供一种碳化硅沟槽结构外延填充方法，包括以下步骤：S1.使用生长实验片进行实验，确定正式片的外延生长工艺参数；S2.使用刻蚀实验片进行实验，确定氯化氢刻蚀工艺参数；S3.准备含沟槽结构的碳化硅正式片；S4.按照步骤S1确定的生长工艺参...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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