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本发明提供了一种集成电路芯片的失效分析方法，在芯片中定位需要做电阻的两端布线，找到需要做电阻的目标位置中的一端，采用聚焦离子束对目标区域进行刻蚀，去除氧化层直至金属露出；找到需要做电阻的目标位置中的另一端，采用离子束对目标区域进行刻蚀，去除...
该专利属于上海聚跃检测技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海聚跃检测技术有限公司授权不得商用。

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