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本发明公开了一种雪崩光电二极管及其制备方法，其中雪崩光电二极管包括SiC衬底及设置于SiC衬底上的外延结构，外延结构自上而下依次包括n+接触层、p+接触层、p型过渡层、i倍增层和n+型过渡层。其中n+接触层的正面设有正面欧姆接触电极，SiC...
该专利属于无锡学院所有，仅供学习研究参考，未经过无锡学院授权不得商用。

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