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具有穿过半导体材料立柱的栅极材料的集成晶体管,及形成集成晶体管的方法技术
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下载具有穿过半导体材料立柱的栅极材料的集成晶体管,及形成集成晶体管的方法的技术资料
文档序号:32808420
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一些实施例包含集成组合件,所述集成组合件具有半导体材料立柱。所述立柱具有基座区域,且分叉成两个区段,所述两个区段从所述基座区域向上延伸。所述两个区段通过中间区域彼此水平间隔开。导电栅极位于所述中间区域内。第一源极/漏极区域位于所述基座区域内...
该专利属于美光科技公司所有,仅供学习研究参考,未经过美光科技公司授权不得商用。
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