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本发明提供一种半导体基板(10)，其包含由单晶SiC半导体形成的第一层的漂移层(11)以及在第一层的表面上由包含多晶SiC半导体形成的第二层(12)的缓冲层(12a)和衬底层(12b)，第二层(12)通过CVD生长而形成在第一层的漂移层(1...
该专利属于罗姆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过罗姆股份有限公司授权不得商用。

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