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本发明公开了一种单层P型半导体相二硒化钒单晶及其盐辅助的合成方法以及其背栅场效应晶体管，该生长方法采用化学气相沉积法：以金属前驱体五氧化二钒与碘化钾为原料，并将硒粉同时置于管式炉中，加热升温，在炉内进行化学气相沉积反应，得到单层P型半导体相...
该专利属于广州市香港科大霍英东研究院所有，仅供学习研究参考，未经过广州市香港科大霍英东研究院授权不得商用。

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