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本发明涉及一种碳化硅肖特基半导体器件及其制造方法，其包括第一电子型半导体层、第二电子型半导体层、第一空穴型半导体层、第二空穴型半导体层、第一阳极结构、第二阳极结构和阴电极层。其中，第一阳极结构设置在第二电子型半导体上，第二阳极结构设置在第二...
该专利属于珠海零边界集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海零边界集成电路有限公司授权不得商用。

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