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一种单壁碳纳米管粉体的制备方法。本发明属于碳纳米管及其制备技术领域。本发明解决了现有单壁碳纳米管纯度低、管径分布不均的技术问题。本发明的一种单壁碳纳米管粉体的制备方法：一、在惰性气体保护下将反应腔体升温至600～1200℃，保温30min～...
该专利属于哈尔滨金纳科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨金纳科技有限公司授权不得商用。

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