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本发明公开了一种基于SiC的结型场效应管及其制作方法，主要解决现有器件导通电阻高、击穿电压低，且存在工作温度限制的问题。包括：碳化硅衬底、位于衬底上方的碳化硅外延层、外延层上表面作为沟道的N型掺杂区；该N型掺杂区和碳化硅外延层中间设有作为背...
该专利属于西安建筑科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安建筑科技大学授权不得商用。

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