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本发明属于功能薄膜材料制备技术领域,公开了一种钙钛矿薄膜及其外延制备方法,通过脉冲激光沉积的方法生长具有溶解性的单晶外延牺牲层薄膜,并且通过调控牺牲层的晶格参数匹配得以实现一定晶格参数范围内的钙钛矿结构单晶薄膜生长,调控牺牲层的晶格常数实现...该专利属于电子科技大学长三角研究院(湖州)所有,仅供学习研究参考,未经过电子科技大学长三角研究院(湖州)授权不得商用。
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本发明属于功能薄膜材料制备技术领域,公开了一种钙钛矿薄膜及其外延制备方法,通过脉冲激光沉积的方法生长具有溶解性的单晶外延牺牲层薄膜,并且通过调控牺牲层的晶格参数匹配得以实现一定晶格参数范围内的钙钛矿结构单晶薄膜生长,调控牺牲层的晶格常数实现...