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本公开涉及关于垂直3D存储器的三节点存取装置形成的栅极电介质修复，提供一种用于形成具有水平定向的存取装置及垂直定向的存取线的垂直堆叠的存储器单元阵列的方法，其包含沉积电介质材料及牺牲材料的交替层以形成垂直堆叠。形成多个第一垂直开口以在该垂直...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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