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一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括隔离区；在所述基底上形成第一介质结构，所述第一介质结构内具有若干栅极开口，且至少1个栅极开口横跨所述隔离区；在栅极开口侧壁面和底面、以及第一介质结构表面形成栅介质材料层；在形成所述栅介质...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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