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本发明揭露一种以金属闸半导体制作过程实现的无线射频识别装置，其利用金属闸制作过程中特有寄生的Ｎ型与Ｐ型防护圈所形成的充电电容，配合原本Ｐ型与Ｎ型金氧半晶体管（ＰＭＯＳ／ＮＭＯＳ），除可提供水平表面电流外，更可提供一整流电流用以提供整个电路操...
该专利属于天时电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天时电子股份有限公司授权不得商用。

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