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本发明公开了一种特殊结构的SOI的制备方法，属于半导体的制备技术领域。一种特殊结构的SOI由衬底层、器件层、绝缘层、薄膜层组成，其中衬底层和器件层为下述几种之一：硅、碳化硅、氮化镓等
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该专利属于沈阳硅基科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过沈阳硅基科技有限公司授权不得商用。

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