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本发明公开了一种基于基质面化学反应的固体薄膜剥离方法，包括：在硅衬底A表面制备一层SiO2层；在半导体衬底B表面制备一层钝化层，从钝化层一侧向半导体衬底B中注入离子，在半导体衬底B形成离子注入层；其中，注入的离子可与半导体衬底B材料形成低沸...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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