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本发明公开了一种高深宽比微结构深度一致性的光学测量与评估方法：加工硅基高深宽比单体微结构标准样品，确定其形貌参数以及折射率；修正测量仪器的暗场噪声与透光系数；建立多深度的高深宽比微结构的几何模型和光学模型；获得待测样品反射率光谱以及快速傅里...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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