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本发明提供一种高频耦合器（２），一处断开的圆环形的第１、第２耦合部图形（１１、１２）以对向的状态形成在由电介质构成的厚度为ｔ的线路基板（１０）的背面和表面上。第１耦合图形（１１）的端子（１１ａ、１１ｂ）为不平衡端子，第２耦合图形（１２）的端...
该专利属于樋口俊昭;畑宏;唐鎌隆久所有，仅供学习研究参考，未经过樋口俊昭;畑宏;唐鎌隆久授权不得商用。

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