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一种磁随机存取存储器及其形成方法,包括:提供衬底;在衬底上形成第一介质层,第一介质层内具有第一开口;在第一开口内形成第一导电结构和第二导电结构;在第一介质层和第二导电结构上形成磁性隧道结。通过在第一开口内形成第一导电结构和第二导电结构,第二...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
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一种磁随机存取存储器及其形成方法,包括:提供衬底;在衬底上形成第一介质层,第一介质层内具有第一开口;在第一开口内形成第一导电结构和第二导电结构;在第一介质层和第二导电结构上形成磁性隧道结。通过在第一开口内形成第一导电结构和第二导电结构,第二...