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一种半导体器件，包括衬底、第一和第二氮基半导体层、掺杂的氮基半导体层、栅极电极、第一和第二介电保护层。第二氮基半导体层的带隙大于第一氮基半导体层的带隙。第一和第二介电保护层包括氧。第一介电保护层与由栅极电极、掺杂的氮基半导体层和第二氮基半导...
该专利属于英诺赛科（苏州）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科（苏州）科技有限公司授权不得商用。

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