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本申请是关于一种具有包围型源区的沟槽型功率半导体器件，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、屏蔽栅、控制栅、绝缘层、源极、漏极和金属栅极；漂移区与衬底区相接，以衬底区指向漂移区的方向为上方，基体区和源区依次设置在漂移区上方；控制栅和屏蔽栅由上...
该专利属于无锡先瞳半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡先瞳半导体科技有限公司授权不得商用。

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