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本发明提供了一种金属氧化物半导体器件与其制作方法。金属氧化物半导体器件包括：半导体基体、场氧化层、第一JFET注入区与第二JFET注入区。半导体基体上表面定义有源区与多个栅极区，每一有源区被多个栅极区环绕，并且多个栅极区是互相交错而形成重叠...
该专利属于杭州芯迈半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州芯迈半导体技术有限公司授权不得商用。

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