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本发明公开了一种阴离子原位掺杂的高镍前驱体及其正极材料的制备方法，该掺F前驱体是采用在金属盐原料液中配入F
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该专利属于中南大学所有，仅供学习研究参考，未经过中南大学授权不得商用。

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