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本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制作方法,其中所涉及异质结太阳能电池结构的单晶硅衬底侧面上形成有多层非晶层,基于本发明所提供异质结太阳能电池的具体结构,可以避免第一透明导电膜层、第二透明导电膜层与单晶硅衬底侧面之间形成直接接触导致漏电,...该专利属于嘉兴阿特斯技术研究院有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过嘉兴阿特斯技术研究院有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制作方法,其中所涉及异质结太阳能电池结构的单晶硅衬底侧面上形成有多层非晶层,基于本发明所提供异质结太阳能电池的具体结构,可以避免第一透明导电膜层、第二透明导电膜层与单晶硅衬底侧面之间形成直接接触导致漏电,...