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本发明涉及半导体技术领域，具体为一种芯片背面嵌入式微流体冷却沟道的制备方法及制备装置，包括：通过在半导体衬底片的第一表面制备间隔排列的多个掩膜，将生成所述掩膜层的半导体衬底片浸泡入刻蚀液中，基于三电极体系并采用包含小于所述半导体衬底片对应的...
该专利属于浙江大学杭州国际科创中心所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学杭州国际科创中心授权不得商用。

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