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本发明公开的一种HEMT外延片及其制备方法，在衬底上溅射氮化铝缓冲层，在氮化铝缓冲层上生长非掺杂氮化镓层，之后在非掺杂氮化镓层上循环溅射铝单层和氮化铝单层，在已循环溅射的外延片上生长N型铝镓氮层。因此在铝单层上溅射氮化铝单层能够提高键合能力...
该专利属于福建兆元光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建兆元光电有限公司授权不得商用。

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