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本申请涉及半导体材料的技术领域，具体公开了一种蓝宝石衬底生长纯相Ga2O3薄膜的方法及日盲紫外探测器，该方法包括以下步骤：通过磁控溅射方法在蓝宝石衬底上沉积得到纯相Ga2O3薄膜，磁控溅射参数为：衬底温度为500
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该专利属于北京铭镓半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京铭镓半导体有限公司授权不得商用。

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