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本发明公开了一种超导阵列结构的制备方法。制备方法包括：在基底材料上的用于制备超导阵列结构的电桥上涂正性光刻胶，并通过曝光、显影，形成具有正胶掩蔽层的样品；其中，所述用于制备超导阵列结构的电桥包括硅衬底、SiO2层，和在所述SiO2层上位于超...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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