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本申请是关于一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的结构参数优化方法。该方法包括：获取既定结构参数和初始待定结构参数；提取晶体管的峰值电场路径；在峰值电场路径上截取若干个采样点；基于若干个采样点的碰撞电离积分，生成碰撞电离积分分布曲线；判断碰撞电离积...
该专利属于无锡先瞳半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡先瞳半导体科技有限公司授权不得商用。

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