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本公开提供了半导体器件及其制造方法、存储器、电子设备。该器件包括堆叠金属层、气隙及第一间隔物等，气隙沿着堆叠金属层的侧面设置，以包围堆叠金属层；而且第一间隔物沿着气隙的侧面设置，以包围气隙。动态随机存取存储器包括本公开的半导体器件。该电子设...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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