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本发明公开了一种散热增强的常关型GaN HEMT结构，涉及半导体技术领域，包括从下至上依次设置的衬底、低温AlN成核层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、T形金刚石、源电极、栅电极、漏电极和介质层，其中在AlGaN势垒层上刻蚀有T形凹槽并生长...
该专利属于西安电子科技大学芜湖研究院所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学芜湖研究院授权不得商用。

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