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本发明公开了一种基于反亥姆霍兹线圈测量微小形变的方法，包括以下具体操作步骤：S1：制作均匀梯度磁场，使用两块相同的磁铁(磁铁截面积及表面磁感应强度相同)相对放置，即N极与N极相对(S极与S极相对)，两磁铁之间留一等间距间隙，霍尔元件平行于磁...
该专利属于武汉纺织大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉纺织大学授权不得商用。

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