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本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法和LED芯片，通过第一缓冲层释放应力的同时，能够通过相变层减小发光外延生长过程中衬底与第一导电类型半导体层之间界面自由能来促进横向生长；同时还能够通过第二缓冲层的生长来降低缺陷密度，最终提高了LED...
该专利属于江西乾照光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西乾照光电有限公司授权不得商用。

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