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用于MOS控制的功率半导体器件的台面接触制造技术
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下载用于MOS控制的功率半导体器件的台面接触的技术资料
文档序号:32509323
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功率半导体器件包括:第一侧处的第一负载端子、第二负载端子和耦合到第一负载端子和第二负载端子的半导体本体,半导体本体被配置用于在第一负载端子和第二负载端子之间传导负载电流;多个沟槽,在第一侧处并且沿垂直方向延伸到半导体本体中。每个沟槽包括通过...
该专利属于英飞凌科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过英飞凌科技股份有限公司授权不得商用。
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