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提供一种能够微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括配置于衬底上的第一导电体、以与第一导电体的顶面接触的方式配置的氧化物、配置于氧化物上的第二导电体、第三导电体及第四导电体、配置于第二导电体至第四导电体上且形成有第一开口及第二开口的第...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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