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本发明涉及一种超结半导体器件及其形成方法。该形成方法包括在具有第一掺杂类型的衬底上多次执行外延生长工艺，形成叠加设置的多个子外延层，在一次外延生长工艺结束而下一次外延生长工艺开始前，执行第一掺杂类型离子注入在顶部子外延层中形成位于所述顶部子...
该专利属于绍兴中芯集成电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过绍兴中芯集成电路制造股份有限公司授权不得商用。

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