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本申请提供一种面向医疗应用的半导体硅基混合成像芯片及制备方法，半导体衬底和第一像素单元，半导体衬底上设有第一可见光吸收区域，第一可见光吸收区域位于第一像素单元的下方，第一可见光吸收区域包括第一N型区、第二N型区、P型区、栅介质层以及栅电极层...
该专利属于中国人民解放军火箭军工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国人民解放军火箭军工程大学授权不得商用。

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