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本发明公开了一种单晶碳化硅制备装置，所述单晶碳化硅制备装置包括：第一加热炉、第一加热器、籽晶夹持器、第二加热炉和第二加热器，第一加热炉具有生长腔，第一加热器用于加热生长腔，第一加热炉的底部形成有与生长腔连通的第一气体通道；籽晶夹持器设于生长...
该专利属于江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司授权不得商用。

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