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本发明提供了一种双极晶体管及其制备方法,所述双极晶体管包括:衬底、外延层、基区、发射区、深集电极接触区、环形掺杂区、基极接触、发射极接触及环形集电极接触,环形掺杂区环绕基区,环形集电极接触分别与深集电极接触区及环形掺杂区电连接。通过包围基区...该专利属于中国电子科技集团公司第二十四研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第二十四研究所授权不得商用。
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本发明提供了一种双极晶体管及其制备方法,所述双极晶体管包括:衬底、外延层、基区、发射区、深集电极接触区、环形掺杂区、基极接触、发射极接触及环形集电极接触,环形掺杂区环绕基区,环形集电极接触分别与深集电极接触区及环形掺杂区电连接。通过包围基区...