温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种多阈值器件制造方法及器件结构，包括：提供一SOI衬底；制作沟槽隔离；两次离子注入形成五个第一导电类型阱和五个第二导电类型阱；仅在第二导电类型阱一和第一导电类型阱四上的氧化埋层上形成第一导电类型离子注入沟道层；仅在第二导电类型...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。