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本发明公开了一种多芯片并联的高温功率模块的封装结构及封装方法，属于功率半导体器件领域。该封装结构及封装方法可以应用在硅功率模块以及碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体高温应用的功率模块中；封装结构包括：散热基板，一体化基板，附着于一体化基板上的功率...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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