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一种半导体结构及半导体结构的形成方法,结构包括:衬底;位于衬底上的栅极结构;位于栅极结构侧壁的侧墙结构;位于衬底上的介质层,所述介质层位于侧墙结构侧壁,且所述介质层顶部表面高于所述侧墙结构顶部表面和栅极结构顶部表面,且所述介质层的顶部表面为...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及半导体结构的形成方法,结构包括:衬底;位于衬底上的栅极结构;位于栅极结构侧壁的侧墙结构;位于衬底上的介质层,所述介质层位于侧墙结构侧壁,且所述介质层顶部表面高于所述侧墙结构顶部表面和栅极结构顶部表面,且所述介质层的顶部表面为...